过饱和度对KDP晶体生长及表面形貌的影响

摘要：

采用原子力显微镜对35℃附近,在不同过饱和度下生长的KDP晶体(100)面生长台阶的推移进行了系统的研究,用激光偏振干涉手段实时测量了KDP晶体(100)面的台阶推移速率与过饱和度之间的关系.结果表明:台阶的推移速率v随过饱度σ的增加而增大,过饱和度死区σd和线性区σ*的值分别为0.018和0.033.当σ=0.07时,晶体推移速率v增加变缓,进入延长线通过原点的线性区.台阶宽度随σ的增加呈现出先增大后降低的趋势,当σ=0.01、0.05和0.08时,台阶聚并程度和斜率都高;当σ=0.08时,晶体表面出现树枝状支台阶.在不同过饱和度区间内台阶推移方式发生的变化可能是影响台阶聚并程度和推移速率的原因.

关键词：磷酸二氢钾晶体、溶液晶体生长、过饱和度、台阶推移速率

所属期刊栏目：45

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金项目51321062;国家自然科学基金青年基金项目51202131

在线出版日期：2017-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：955-960