射频反应磁控溅射制备的SnO2及SnO2:F薄膜结构与透明导电性能

摘要：

以Sn和Sn+SnF2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO2和SnO2:F薄膜.通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外-可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能.结果表明:随O2流量增加,SnO2薄膜由非晶变为多晶,择优取向从(101)面过渡到(211)面,薄膜电阻先减小后增大,平均透光率逐渐上升.随O2流量增加,SnO2:F薄膜结构与透明导电性能的变化规律与SnO2薄膜类似,SnO2:F薄膜的择优取向依次为(002)、(101)和(211)面,由于F掺杂,SnO2:F薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加,电阻率降低,同时平均透过率有所提高.目前,在合适的O2流量下,SnO2:F薄膜可达到的最低电阻率为4.16×10-3Ω·cm,同时其平均透光率为86.5%.

关键词：射频反应磁控溅射、氧化锡薄膜、氟掺杂、氧气流量、透明导电性能

所属期刊栏目：45

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金课题P2014-06

在线出版日期：2017-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：472-477