期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2017.04.01

铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制

引用
针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流-电压(I-V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I-V曲线呈现出不同高低阻值的变化.通过对I-V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流.结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化.

阻变效应、导电机制、陷阱填充与脱陷、空间电荷限制电流

45

TB34(工程材料学)

国家自然科学基金61201046,61306057;北京市自然科学基金4162013,2132023;北京市博士后工作经费资助项目2015ZZ-33;北京市教委科技计划一般项目KM201610005005;教育部留学回国人员科研启动基金

2017-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

467-471

暂无封面信息
查看本期封面目录

硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

45

2017,45(4)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn