10.14062/j.issn.0454-5648.2017.04.01
铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制
针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流-电压(I-V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I-V曲线呈现出不同高低阻值的变化.通过对I-V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流.结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化.
阻变效应、导电机制、陷阱填充与脱陷、空间电荷限制电流
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TB34(工程材料学)
国家自然科学基金61201046,61306057;北京市自然科学基金4162013,2132023;北京市博士后工作经费资助项目2015ZZ-33;北京市教委科技计划一般项目KM201610005005;教育部留学回国人员科研启动基金
2017-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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