V2O5掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻微观结构和电学性能的影响

摘要：

研究了V2O5掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻微观结构、电性能的影响.研究表明:随着V2O5掺杂量的增加,击穿场强(E1mA)从1068 V/mm增加到1099 V/mm,后又减小到937 V/mm.当V2O掺杂量(摩尔分数)为1.0%时,击穿场强达到最高,阻抗最大,相对介电常数εr出现最大值,损耗角正切值tanδ达到最小;当V2O5掺杂量(摩尔分数)为1.5%时,非线性系数(α)达到最大(47.7),漏电流(JL)降到最小(0.74μA/cm2).V2O5的存在对压敏电阻的性能有显著影响,呈现出优越的性能,特别是击穿电压很高,在电气设备的抗雷击方面具有应用潜能.

关键词：五氧化二钒掺杂、氧化锌压敏电阻、微观结构、电学性能

所属期刊栏目：45

分类号：TQ174.9

资助基金：国家自然科学基金51272145,50972087

在线出版日期：2017-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：360-365