3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-SiC的电子结构和磁性.结果表明:本征3C-SiC没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化.在Al和Si空位共掺杂3C-SiC的结构中,Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的.

关键词：稀磁半导体、电子结构、磁性、第一性原理、3C-碳化硅

所属期刊栏目：44

分类号：TB333(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51172065

在线出版日期：2016-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1668-1673