晶粒尺寸和膜厚对磁控溅射法制备Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜介电性能的影响

摘要：

采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备立方焦绿石结构Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜。通过控制750℃下后退火时间来控制薄膜的平均晶粒尺寸，用沉积时间控制膜厚。研究不同晶粒尺寸和膜厚对BMN薄膜相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明，当BMN薄膜平均晶粒尺寸为45 nm、膜厚为430 nm时，薄膜介电性能提高显著，1 MHz下介电常数为112.4，介电损耗为0.00182，在0.93 MV/cm外加电场条件下，介电调谐率为27.7%。

关键词：铌镁酸铋薄膜、磁控溅射、晶粒尺寸、膜厚、介电性能、调谐率

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分类号：TU502.4(建筑材料)

资助基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目PAPD；长江学者和创新团队发展计划IRT1146资助。

在线出版日期：2016-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1287-1292