10.14062/j.issn.0454-5648.2016.09.03
Er,Zr共掺杂对(K0.16Na0.84)0.5Bi4.5Ti4O15压电陶瓷电学和上转换发光性能的影响
采用固相法制备Er、Zr共掺铋层状结构陶瓷(K0.16Na0.84Bi)0.47Er0.02Bi4Ti4–xZrxO15(KNBET–Zr–x,0≤x≤0.12,x为摩尔分数),研究了不同Zr含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的正交相铋层状结构,无其他杂相出现。随着Zr掺入量的增加,晶格常数a、b、c不断增大,正交畸变(b/a)的值逐渐减小;适量Zr掺杂使样品的介电损耗降低,剩余极化强度2Pr和压电常数d33得到提高;当x=0.04时,样品具有最佳的综合电学性能:介电损耗tanδ=0.61%、压电性能d33=24 p/CN、剩余极化强度2Pr=3.02μC/cm2。在980 nm近红外光源激发下,所有样品均呈现出较强的绿光发射,对应于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的跃迁。随着Zr离子掺入量增加,正交畸变(b/a)减少,荧光强度逐渐下降。
正交畸变、上转换发光、介电性能、压电陶瓷
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TQ174
国家自然科学基金51562014,51262009;江西自然科学基金20133ACB20002,20142BAB216009;江西省高等学校“先进陶瓷材料”科技创新团队;江西省教育厅科技项目GJJ150911,GJJ150931,GJJ150933;江西省创新训练项目212050-008资助。
2016-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1270-1275