直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响

摘要：

采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明：与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比，410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜；随着衬底温度的增加，电阻率单调减小，光学吸收边出现蓝移；在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下，可制备出电阻率为1.4×10–4?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。

关键词：直流磁控溅射、氧化铟锡薄膜、衬底温度、溅射功率

所属期刊栏目：44

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：安徽省科技攻关计划项目1301021015资助。

在线出版日期：2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：987-994