拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层MoTe2的能带结构和态密度，研究了拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响。结果表明：与单轴应变相比，双轴应变对Te–Te原子间距和Te–Mo–Te键角等晶格参数的影响更大，键长和键角的变化会影响原子不同轨道间的耦合强度，因此在调节单层MoTe2的带隙宽度时，施加双轴应变比单轴应变更有效。对单层MoTe2施加单轴应变后，其带隙宽度随着应变的增加缓慢减小，能带结构与未施加应变时相同，仍为直接带隙。而施加双轴应变后，单层MoTe2的带隙宽度明显变小，当应变接近6%时，其能带结构由直接带隙变为间接带隙。通过对投影电荷密度的分析，揭示了施加双轴拉伸应变时能带结构变化的根本原因。

关键词：第一性原理、二碲化钼、拉伸应变、电子结构

所属期刊栏目：44

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金项目1150409；河南省教育厅自然科学研究计划项目2011A140018；河南省教育厅科学技术研究重点项目基础研究计划项目14A140012；国家大学生创新创业训练计划资助项目201510476043；河南省高等学校重点科研项目15B140008资助。

在线出版日期：2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：942-947