碳化硅量子点表面物化特性的计算模拟

摘要：

采用化学腐蚀法制备碳化硅(SiC)量子点荧光材料，对其进行 Fourier 变换红外光谱分析及 X 射线粉末衍射结构解析，研究了 SiC 量子点的晶体结构，而后基于密度泛函理论的 CASTEP 平面波模守恒赝势对 SiC 量子点表面不同功能团的吸附机制进行计算模拟。结果表明：SiC 量子点属于面心立方晶系，修正后的点阵参数为：a=b=c=0.4348 nm，α=β=γ=90°，空间群为 F-43m，晶型为3C-SiC，每单胞含化学式 Z=4。Rietveld 精修的2个主要可靠因子分别为：Rp=10.82%，Rwp=14.72%。–COOH、–OH 功能团能够在 SiC 量子点表面形成稳定的化学键结合，键能分别为2.65、5.09 eV，并对吸附后构型的态密度、电子密度分布及其成键机理进行了分析探讨。

关键词：碳化硅量子点、X 射线粉末衍射、晶体结构、化学吸附

所属期刊栏目：44

分类号：O482;O614(固体物理学)

资助基金：山东省科技发展计划项目2014GGX102012；中国博士后科学基金2013M53163项目；山东省现代农业产品技术体系果品创新团队专项经费资助项目。

在线出版日期：2016-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：733-739