化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜

摘要：

以氯化亚锡、硫代乙酰胺、三氯化锑为反应物,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上沉积不同锑掺杂量(摩尔分数)硫化锡(SnS∶Sb)膜,研究了锑掺杂量对薄膜晶相结构、表面形貌和光电性能的影响.结果表明:锑掺杂SnS薄膜是具有正交结构多晶薄膜,薄膜为纳米片组装成的花状球形颗粒.随着Sb掺杂量由1.8％增加到7.2％,其相应的禁带宽度从0.93 eV增加到1.30 eV.随着Sb掺杂量的增加,SnS薄膜的电阻率呈现先下降后增大趋势,当Sb掺杂量为3.6％时,其最小值为5.21×103 Ω·cm.

关键词：锑掺杂硫化锡薄膜、化学浴沉积、光电性能、Hall效应

所属期刊栏目：43

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：武汉市科技计划2015010101010006

在线出版日期：2016-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1759-1764