期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2015.11.04

硫系非晶薄膜的光致能隙变化及相关机理研究进展

引用
以硒基硫系非晶薄膜的光诱导效应开展的研究工作为基础,对硫系薄膜光致能隙变化的可调节性和稳定性及相关机理等方面的最新研究进展进行了综述,重点阐述了GexAs45-xSe55系列非晶薄膜的光致暗化和光致漂白效应与组成之间的相关关系,GexSe100-x系统富硒和富锗组成薄膜的光致漂白效应及机理,光致氧化效应对GeSe2/Ge2Se3非晶薄膜光致能隙变化的影响,以及氧掺杂对Ge-Se系统非晶薄膜光致漂白行为的影响.

硒基硫系非晶薄膜、光致能隙变化、光稳定性、光致氧化效应

43

TQ171.73

国家自然科学基金项目51072052,51572081;高等学校博士学科点博导类专项科研基金项目20120074110018

2015-12-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共19页

1531-1549

暂无封面信息
查看本期封面目录

硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

43

2015,43(11)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn