Na∶O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了AlN在Na单掺杂和Na∶O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构.计算结果表明:Na单掺杂AlN和Na∶O共掺杂AlN均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征AlN晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na∶O共掺杂相对Na单掺杂AlN晶格膨胀较小;Na单掺杂AlN的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂AlN相反,Na∶O共掺杂AlN的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于AlN的p型掺杂.

关键词：氮化铝、第一性原理、电子结构、p型掺杂

所属期刊栏目：43

分类号：O731(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61136001;高等学校博士学科点专项科研基金项目20114408110002;深圳市科技计划项目20120821110533437

在线出版日期：2015-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-69