10.14062/j.issn.0454-5648.2015.01.09
大截面溴化钾晶体生长工艺研究
对溴化钾原料进行纯化、成型与热处理,制备出φ200 mm×20 mm的多晶料.采用电阻加热Czochralski法,在合理的温场下生长出了φ140 mm×100 mm的溴化钾单晶.为了有效解决了放肩过程中晶体表面裂纹等问题,采用了一控(水温)、双变(拉速、转速)微提拉放肩新工艺生长晶体.X射线衍射分析表明,生长的晶体为立方晶系的KBr,空间群Fm3m,晶格常数为a=0.6599 nm.分析了晶体中相互作用力及能量关系,认为溴化钾晶体质点间的相互作用不仅存在离子键的相互作用,同时还存在三体力及Van der Waals力的作用.根据半经验公式计算出熔融状态下的溴化钾的配位数为4.另外,晶体的透光性能测试表明,厚度5 mm的样品的透射率为90%.
溴化钾单晶、多晶料、熔体与固体结构、配位数、微提拉晶体生长
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O782(晶体生长)
吉林省科技发展计划20110803
2015-02-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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