磷锗锌晶体生长与缺陷结构

摘要：

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50 mm的高品质单晶.采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为VZn-和ZnGe0缺陷的影响最大.利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素.

关键词：磷锗锌晶体、缺陷结构、垂直Bridgman法、吸收光谱

所属期刊栏目：42

分类号：O77+1(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金91022024

在线出版日期：2014-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1082-1086