多晶硅还原炉内三氯氢硅氢还原过程的数值模拟

摘要：

建立了多晶硅还原炉内SiHCl3氢还原过程的三维模型,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅棒高度和硅棒直径对沉积特性的影响.结果表明:随着硅棒高度的增加,SiHCl3转化率、硅产率和硅表面沉积速率不断增大,单位能耗不断减小;从反应的角度来说,硅棒高度越高越好;随着硅棒直径不断增加,SiHCl3转化率和硅产率逐渐增大,硅表面沉积速率先减小、后增大,单位能耗先急剧减小、然后趋于平缓;理论上硅棒直径越大越好,且最好超过120 mm.

关键词：多晶硅、还原炉、数值模拟、硅沉积速率

所属期刊栏目：42

分类号：TQ021(一般性问题)

资助基金：湖南省教育厅一般项目12C0379

在线出版日期：2014-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：932-938