中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析

摘要：

利用透射电子显微镜、紫外-可见-近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67 × 1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究.结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体.辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710 nm处出现新的吸收峰.1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi.对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点.低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭.为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的“类铍原子模型”.

关键词：中子辐照、掺氮碳化硅晶体、光学性质、类铍原子模型

所属期刊栏目：42

分类号：O77+4(晶体缺陷)

在线出版日期：2014-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：349-356