10.7521/j.issn.0454-5648.2013.10.18
纳米碳颗粒/碳化硅陶瓷基复合材料的氧化行为
以微米硅(Si)和纳米碳黑(Cp)粉体为主要原料,采用经机械化学法合成的碳化硅(SiC)和15%和25%的纳米碳颗粒与碳化硅(Cp-SiC)的复合粉体,并经无压烧结得到了Cp/SiC陶瓷基复合材料,分析了在不同温度条件下Cp/SiC烧结体的氧化行为。结果表明:当温度小于700℃时,Cp/SiC复合陶瓷在空气中的氧化受C-O2反应控制,致使其为均匀氧化;700℃时,氧化后的复合材料显气孔率最大,弯曲强度达极小值;大于700℃,氧化过程受O2的气相扩散控制,呈非均匀氧化;700~900℃之间,O2通过微裂纹的扩散控制着Cp/SiC的氧化过程;900~1100℃之间,O2通过SiC缺陷的扩散控制着Cp/SiC的氧化过程,并在1000℃时的最初的2 h内,复合材料弯曲强度增大,且达到了极大值。同时表明,纳米碳含量是影响复合材料强度及氧化行为的关键因素,添加纳米碳质量分数为15%的Cp/SiC复合陶瓷可以作为一种抗氧化性能优良的玻璃夹具材料。
纳米碳颗粒、碳化硅、陶瓷基复合材料、氧化行为
TB332(工程材料学)
国家自然科学基金50962001,51262001;中科院“西部之光”人才培养计划;北方民族大学国家自然基金培育项目。
2013-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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