硫化铋准纳米带阵列的可控合成及光学性质

摘要：

以五水硝酸铋和硫脲为原料，采用籽晶技术和水热相结合的方法，在涂籽晶层的硅片上制备了大面积Bi2S3准纳米带阵列。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和电子衍射等对产物的结构和形貌进行表征。结果表明，合成产物为纯正交相的纯Bi2S3，纳米带阵列中的纳米带宽约为130 nm，长约2μm，并且沿[130]方向优先生长。使用涂有Bi2S3纳米籽晶的衬底是生长大规模准纳米带阵列的必要条件，衬底在高压釜中放置高度影响产物的形貌。Bi2S3准纳米带阵列的形成机理与自组装生长和Bi2S3的各向异性生长相关。产物的荧光光谱为从650 nm到800 nm的红光区域宽发光带，是由Bi2S3准纳米带阵列结构中的复杂缺陷导致的。

关键词：硫化铋、准纳米带阵列、光学性质、水热法

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金51002070资助项目。

在线出版日期：2013-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1238-1243