低Sc含量BZSPTx高温压电陶瓷的结构和介温特性

摘要：

为了降低BiScO3-PbTiO3高温压电陶瓷的成本,采用传统固相反应制备了低Sc含量的(1-x)(0.15BiScO3-0.85PbTiO3)-xBi(Zn1/2Ti1/2)O3 (BZSPTx,x为摩尔分数)高温压电陶瓷,用X射线衍射、扫描电子显微镜和介温性能测试表征样品的微观结构、物相,结果显示:当x=0.075～0.125,BZSPTx陶瓷具有单一四方相钙钛矿结构,同时BZSPTx体系具有较大的四方畸变度(c/a＞ 1.1).介温性能测试表明BZSPTx体系可获得高于PbTiO3陶瓷的Curie温度(Tc＞ 520℃),其介温特性依赖于四方畸变程度；当Bi(Zn1/2Ti1/2)O3含量x为0.075时,BZSPTx陶瓷体系获得最大压电活性(d33=76 pC/N),同时具有较高的Curie温度(Tc=536℃),该材料体系有望在航空航天、石油勘探和民用等领域的高温压电传感器中得到应用.

关键词：变温压电陶瓷、Curie温度、四方畸变、介温特性、钙钛矿

所属期刊栏目：41

分类号：TM223(电工材料)

资助基金：贵州省人事厅项目TZJF2010041;贵州省科技厅项目2011-2031;贵州省黔财教项目2011232

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：427-431