In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响

摘要：

采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析.结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性.Raman光谱分析表明:[GeSe4]四面体Ge-Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一,且Ge-Se键的振动强度随着m含量的增加而减小；当In的含量达到13.87％(摩尔分数)时,[GeSe4]四面体消失,而[InSE4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式.采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现:随着In含量增加,该薄膜的短波吸收限红移,折射率逐渐增大,光学带隙逐渐减小.

关键词：锗-铟-硒薄膜、光学带隙、Raman分析

所属期刊栏目：41

分类号：TQ171.73+4

资助基金：国家自然科学基金项目61008041,60978058;宁波市创新团队项目2009B21007:宁波市自然基金项目2011A610092;宁波大学王宽诚幸福基金;宁波大学研究生科研创新基金和宁波大学大学生科技创新SRIP基金

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：388-391