硼掺杂量对P型a-Si∶H膜微结构和光/电学性能的影响

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si∶H系列薄膜.研究了硼掺杂比对P型a-Si∶H薄膜微结构和光/电学性能的影响;同时,对最优掺杂比下的P型a-Si∶H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能的影响.结果表明:随着硼掺杂比的增加,P型a-Si∶H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其光学带隙及电学性能均有明显变化,总结出最佳硼掺杂比为1.0％.经真空退火处理后,P型a-Si∶H薄膜的有序程度明显提高,光学带隙从1.81eV降低到1.72 eV,电导率提高3个数量级.薄膜的晶体结构比硼掺杂量对薄膜电学性能的改善更为显著.

关键词：硼掺杂氢化非晶硅薄膜、硼掺杂比、真空退火、光学带隙、电阻率

所属期刊栏目：41

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金项目51271144

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：364-369