中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质

摘要：

利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究.结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1 000℃的样品未出现任何发射峰；1200℃退火的样品在510、540和575 nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在.中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1 600℃退火后完全回复.Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538 cm-1处的Si-Si键振动模,600、655和709cm-1处的Si-C键振动模和1419cm-1处C-C键振动模.辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移.在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1 000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失.

关键词：碳化硅、中子辐照、光学性质

所属期刊栏目：41

分类号：O77+4(晶体缺陷)

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：353-358