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10.7521/j.issn.0454-5648.2013.03.05

高温高压下γ-Si3N4的相变

引用
为了研究γ-Si3N4在高温高压下的相变,在压力为5.2、5.4及5.7 GPa,温度为1 300~1 450 K,保温时间为15min条件下,以Y2O3、Al2O3和La2O3为烧结助剂,制备了γ-Si3N4烧结体.用X射线衍射和扫描电子显微镜对烧结样品进行了分析和观察.结果表明:γ-Si3N4首先转变为α-Si3N4,再由α-Si3N4转变为β-Si3N4; β-Si3N4烧结体主要由长柱状的晶粒组成,晶粒相互连接,呈交叉分布,显微结构较为均匀,结构致密.拟合了三相相界方程,得到了n γ+α、α、α+β、β-Si3N4相界方程,并讨论了相关的相变机制.

立方氮化硅、高温、高压、相变、相界方程

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O771(晶体缺陷)

国家自然科学基金50472102

2013-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2013,41(3)

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