晶种辅助化学水浴合成Al掺杂ZnO纳米棒阵列
采用直流磁控溅射法在玻璃基底上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为晶种层,在硝酸锌(Zn(N03)2·6H2O)与六亚甲基四胺(c6H12N4)等摩尔浓度反应溶液中添加不同摩尔分数的硝酸铝(Al(N03)3·9H2O),用化学水浴法合成A1掺杂ZnO(ZAO)纳米棒阵列。X射线衍射结果表明,少量的A1掺杂并不影响ZnO晶体结构,ZAO具有六方纤锌矿型结构。利用扫描电子显微镜、荧光分光光度计、四探针测试仪研究了溶液中Zn源的初始浓度和Al的掺杂量对ZAO纳米形貌、结构和光电性能的影响。结果表明,A1掺杂提高了ZAO薄膜的导电性,当前驱体溶液中Zn源的初始浓度为O.03moVL时,制备的掺2%A1的ZAO薄膜沿c轴生长且结晶性好,具有电阻率小和最好的光致发光性能。
掺铝氧化锌、纳米棒、氧化锌晶种层、晶种辅助化学水浴法
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O643(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2013-02-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1812-1817