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Ce3+在 Na2Ca1–xSiO4:xCe3+中的发光特性及晶体学格位

引用
采用高温固相法合成了 Na2Ca1–xSiO4:xCe3+蓝色发光材料,并对其发光特性进行了研究。测得激发光谱为双峰宽谱,峰值分别位于 279nm 和360 nm,属于 Ce3+的 4f–5d 跃迁,可被紫外–近紫外 LED 芯片有效激发。样品的发射光谱为不对称单峰宽谱,主峰位于 439nm。利用 van Uitert 公式证明了 Ca 在 Na2CaSiO4中只存在一种晶体学格位,判定经 Gauss 分峰拟合后的 425 nm 与 460 nm 子发射峰均来自于八配位 Ce3+的发射,非对称发射的原因是局部晶体场的不对称和 Ce3+能级劈裂。研究了 Ce3+掺杂量对 Na2Ca1–xSiO4:xCe3+材料发光特性的影响。结果显示,随 Ce3+掺杂量的增大,发光强度先增大后减小,且发射光谱红移。Ce3+掺杂量为 4% (摩尔分数)时,出现浓度猝灭,根据 Dexter 理论分析猝灭机理为电偶极–电四极相互作用。

发光、硅酸钙钠、晶体学格位、荧光粉

40

O482.31(固体物理学)

国家自然科学基金项目50902042;河北省自然科学基金F2009000217资助项目。

2012-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1346-1350

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2012,40(9)

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