不同吸收层结构的非晶硅/锗太阳能电池转换效率的模拟计算（英文）

摘要：

设计了2种太阳能电池结构：结构A为a-Si：H/a-Si0.65Ge0.35：H多吸收层结构;结构B为a-Si0.65Ge0.35：H单吸收层结构。采用AMPS-ID程序分析了2种电池结构的光电性质。模拟计算中光学吸收系数和缺陷浓度均采用实验数据以便确保模拟的可靠性。分析了2种电池结构的短路电流密度、断路电压、填充因子和转换效率。结果表明：对于结构A,当吸收层厚度达180nm时,转换效率达到饱和值6.88%;对于结构B,当吸收层厚度达45nm时,转换效率达到最大值3.44%;利用载流子产生和复合机制分析了采用多吸收层结构更有利于提高太阳能电池的转换效率。

关键词：半导体、薄膜、非晶体硅、太阳能电池

所属期刊栏目：40

分类号：TB32(工程材料学)

资助基金：教育部科学技术重点项目211035;辽宁省自然科学基金资助项目201102004

在线出版日期：2012-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：934-940