ZnO掺杂量与烧结温度对SnO2-Ta205-ZnO压敏变阻材料性能的影响

摘要：

以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料，通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料，实验中ZnO含量为0～2．00％（摩尔分数），烧结温度控制在1300～1500℃并保温2h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明：在温度一定条件下，随着ZnO掺杂量的增加，材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小；在ZnO含量一定时，随着烧结温度从1300℃升至1450℃，材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0．50％时，在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高（6．2），漏电流最小（262vA／cm^2），压敏电压较高（83V／mm）。

关键词：氧化锡、五氧化二钽、氧化锌、压敏电阻材料、电学性能

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分类号：TQ174.1

资助基金：北京市教育委员会科技成果转化与产业化项目:国家自然科学基金项目60806005;教育部基本科研业务费中国地质大学北京培育项目211PY0194

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：816-820