中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测

摘要：

利用X射线衍射（XRD）研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽（full width atha lf maximum,FWHM）增大,之后又随退火温度的升高,在700～1230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。

关键词：碳化硅晶体、中子辐照、退火、位错

所属期刊栏目：40

分类号：O774(晶体缺陷)

在线出版日期：2012-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：436-442