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用两步烧结法制备(K0.48-xNa0.52)(Nb0.93-xSb0.07)O3-xLiTaO3无铅压电陶瓷

引用
用传统固相法制备(K0.48-xNa0.52)(Nb0.93-xSb0.07)O3-xLiTaO3体系无铅压电陶瓷,X射线衍射物相分析结果表明:该体系陶瓷正交一四方转变的准同型相界位于0.035〈x〈0.04,在室温具有较高的压电性能。用传统烧结方法很难得到致密的压电陶瓷,用两步烧结工艺可以得到致密化且晶粒尺寸均一的陶瓷,因此重点研究采用两步烧结技术对x=0.0375的陶瓷进行烧结工艺的改进和优化,研究微观组织结构与陶瓷压电性能之间的关系。最佳两步烧结工艺为:θ1=1120℃,t1=10min,05=1000℃,t2=5h。制备陶瓷的电学性能如下:压电常数d33=261pC/N,机械品质因数Qm=29,相对介电常数ετ=1659,平面机电耦合系数kp=0.47。

无铅压电陶瓷:掺杂改性、两步烧结、压电性能:铁电性能

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TM282(电工材料)

国家自然科学基金50872053;50830201;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-10-0070;教育部长江学者创新团队IRT0968;江苏高校优势学科建设工程资助项目

2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1928-1933

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2011,39(12)

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