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MgSiO_3掺杂Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3陶瓷的介电调谐特性及微波性能(英文)

引用
MgSiO3掺杂 Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷具有 Ba1-xSrxTiO3、(Ba,Sr)2TiSi2O8、Ba4MgTi11O27和 Mg2TiO4多相结构。MgSiO3低掺量(质量分数≤10%)陶瓷样品具有条形晶粒和细晶粒组成的微结构;随着 MgSiO3掺量增加,陶瓷样品形成晶粒细小、均匀的微结构;当 MgSiO3掺量达到 20%时,介电损耗峰出现强的频率弥散特性。随着 MgSiO3掺量从 5%增加到 30%,样品的介电常数和介电可调率分别从 582 降低到 42 和 17.7%降低到 4.0%,而微波损耗从 8.6×10-3增加到 1.0×10-2。Raman 光谱证实(Ba,Sr)2TiSi2O8相的存在,并导致材料微波损耗增加;同时约 280cm-1处的 E(TO2)振动模随着MgSiO3掺量的增加而蓝移,导致材料介电常数降低。

钛酸锶钡陶瓷、介电调谐特性、微波性能、频率弥散特性

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TB303(工程材料学)

国家"973"计划2009CB623302

2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1483-1488

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2011,39(9)

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