化学炉燃烧合成Al4SiC4粉体的绝热燃烧温度计算与实验研究

摘要：

根据热力学基本原理,采用计算机数值计算,对化学炉燃烧合成的铝碳化硅（Al4SiC4）粉体的绝热燃烧温度进行数值计算。结果表明：常温下Al–Si–C体系的绝热燃烧温度仅为1 300 K;只有当预热温度在930 K以上时,才可以实现自蔓延燃烧。Al–Si–C体系的燃烧合成将分步进行,首先生成中间产物Al4C3和SiC,而后由其形成最终产物Al4SiC4。通过体系中添加过量石墨,利用Ti–Si体系化学炉,燃烧合成出粒度均匀且纯度较高的Al4SiC4粉体,根据实验检测并结合绝热燃烧温度计算结果,分析了石墨过量对产物Al4SiC4粉体纯度的影响。

关键词：铝碳化硅粉体、绝热燃烧温度、化学炉、燃烧合成

所属期刊栏目：39

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51001111;50772116;50932006;中韩青年科学家交流项目2009年及山东省研究生教育创新计划SDYY11079

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1323-1328