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Gd2O3掺杂ZrO2固体电解质材料的局域结构分析

引用
采用分子动力学模拟和X射线衍射研究了Gd2O3掺杂ZrO2固体电解质材料的结构,计算并分析了Gd2O3掺杂量对体系局域结构和配位数的影响。结果表明:当Gd2O3掺杂量超过8%(摩尔分数,下同)时,在1 000℃ZrO2的立方结构能够稳定。利用离子对的径向分布函数在原子层面上分析了Gd2O3对氧化锆立方萤石结构的稳定机理。此外,配位数计算结果表明:在体系中氧空位优先分布在Zr^4+的最近邻位置,随体系中空位数量的增加,Zr^4+的配位数呈下降趋势,而Gd3+的配位数则在Gd2O3掺杂量为10%时取得最大值。

分子动力学模拟、局域结构、固体电解质、配位数、稳定机理

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TM911.47

国家"863"计划2009AA032503

2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1312-1316

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2011,39(8)

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