ZrB2-SiCpl复合陶瓷的SPS烧结行为及微观结构

摘要：

利用放电等离子体烧结（spark plasma sintering,SPS）技术,在烧结温度、保温时间、压力和加热速率分别为1 600℃、5 min、30 MPa和100℃/min条件下制备硼化锆（ZrB2）–15%（体积分数）碳化硅晶片（SiCpl）复合陶瓷。研究ZrB2–SiCpl复合陶瓷的烧结致密化行为、微观结构和力学性能,以及晶片的定向性对复合陶瓷性能的影响。结果表明：SPS降低了ZrB2烧结温度,样品晶粒尺寸变小且均匀,有效抑制了ZrB2晶粒异常长大,SiC晶片的定向排布有利于提高材料的烧结性能和力学性能。

关键词：二硼化锆、放电等离子体烧结、碳化硅晶片

所属期刊栏目：39

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国防"973"计划2006CB605207-2

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1286-1289