A位和B位Mn掺杂对Sr2Bi4Ti5O18电磁性能的影响

摘要：

采用固相烧结工艺制备MnxSr2-xBi4Ti5O18(A-SBTi-x,x=0～0.08)和Sr2Bi4MnyTi5-yO18(B-SBTi-y,y=0～0.08)陶瓷样品,对比研究它们的结构和电磁性能.X射线衍射谱显示A位Mn掺杂对材料晶格常数a影响较大:零掺杂时,a=0.3868nm;当Mn摩尔掺量为0.02时,a减小为0.3856nm:此后口随Mn掺量增加而增加,最大达到0.3870nm.B位Mn掺杂对晶格常数的影响较小.当Mn掺量很小时,A位和B位掺杂对剩余极化强度(2Pr)的影响不同;当Mn掺量较多时,A位和B位掺杂对2Pr的影响相似.室温,两种晶位掺杂的Mn离子均使材料表现出弱铁磁性.

关键词：铋层状陶瓷、铁电性能、磁性能、介电性能

所属期刊栏目：39

分类号：O469.3;O432.2(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金51072177;江苏省教育厅自然科学基础研究08KJB140011

在线出版日期：2011-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：941-945