In∶Ho∶LiNbO3晶体的生长及抗光损伤性能

摘要：

在同成分铌酸锂(LiNbO3)晶体中掺入1%(摩尔分数,下同)Ho2O3和分别为0,1%,3%,5%的In2O3,采用提拉法生长In∶Ho∶LiNbO3晶体.测试晶体的紫外-可见吸收光谱、双折射梯度和抗光损伤能力.结果表明:随着In∶Ho∶LiNbO3晶体中In3+含量的增加,吸收谱中吸收边连续紫移;5%In∶1%Ho∶LiNbO3晶体有较好的光学均匀性,5%In∶1%Ho∶LiNbO3晶体的抗光损伤能力比1%Ho∶LiNbO3提高2个数量级以上.用电感耦合等离子体发射光谱法测定了晶体中In3+和Ho3+的摩尔含量,并计算其分凝系数,随晶体中In3+含量增加,Ho3+的分凝系数由0.36提高到0.71.结合LiNbO3晶体的锂空位缺陷模型和占位机制解释了相关实验结果.

关键词：铟、钬、铌酸锂晶体、抗光损伤能力、吸收光谱、双折射梯度

所属期刊栏目：39

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：黑龙江省教育厅科学技术研究11551099

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：892-896