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电火花线切割单晶硅的损伤层

引用
采用截面显微观察法和择优蚀刻法对电火花线切割单晶硅产生的亚表面损伤层进行检测.用光学显微镜观测和分析电火花线切割硅表面沿纵向分层择优腐蚀后的形貌:用能谱仪对腐蚀后的硅表层杂质元素进行分析;用扫描电子显微镜观察和测量腐蚀后硅样品的亚表面裂纹.结果表明:电火花线切割单晶硅损伤层主要由杂质元素重污染层、重熔层和含有高密度位错的弹性畸变层组成;损伤层厚度会随着加工电压和脉冲宽度的增大而迅速增加,受占空比影响较小;在较大的加工参数下,裂纹会成为影响损伤层厚度的主要因素.

电火花线切割、单晶硅、损伤检测、损伤层、裂纹

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TG661

国家自然科学基金50975142;江苏省工业支撑计划BE200-9161

2011-07-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

874-879

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2011,39(5)

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