低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响

摘要：

采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8 × 1018e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200～600℃)热处理.通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位-氧相关缺陷的转化情况.结果表明:未经热处理的电子辐照的硅样品中出现了空位-双氧复合体(VO2)缺陷的889cm-1吸收峰,这是由于辐照温度较高所致.经低温热处理后,在氧含量较低的辐照样品中的VO和VO2缺陷会相互转化,而氧含量较高的样品中VO、VO2吸收峰强度几乎不变.VO2和空位-三氧复合体(VO3)缺陷在450℃热处理30min后呈现出一定的稳定性.

关键词：单晶硅、电子辐照、空位-双氧复合体、辐照缺陷

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分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50872028;河北省自然科学基金E2008-000079;华北科技学院校基金B009019

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：859-862