反应烧结氮化硅-碳化硅复合材料的氮化机理

摘要：

为分析反应烧结氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微观结构和氮化硅分布不均匀的原因,对在隔焰燃气氮化梭式窑中应用反应烧结氮化方法制备的氮化硅结合碳化硅复合材料进行结构研究和热力学分析.结果表明:材料中的氮化硅以纤维状和柱状两种形状存在.Si的氮化机理为:Si首先被氧化成气态Sio,降低了体系的氧分压,当氧分压足够低时,Si与N2直接反应形成柱状Si3N4,气态SiO亦可与N2反应生成氮化硅,这是一个气-气反应,故生成的Si3N4为纤维状.氮化反应前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因而生成的氮化硅分布不均匀,导致了反应烧结Si3N4-SiC材料结构的不均匀.

关键词：反应烧结、氮化硅、碳化硅、氮化反应机理、直接氮化、一氧化硅氮化

所属期刊栏目：39

分类号：TQ175

资助基金：北京市教育委员会共建专项资助

在线出版日期：2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：447-451