烧结助剂对AlN陶瓷制备及性能的影响
用三组烧结助剂[多壁碳纳米管(multi-wall carbon nanotube,MWNT)、Y2O3-CaF2及MWNT-Y2O3-CaF2]在1 600℃低温烧结AlN陶瓷,测试AlN陶瓷烧结密度、热性能和电性能,分析其物相变化和微观结构.结果表明:外添加剂在低温能明显促进AlN陶瓷致密化及晶粒生长发育,并且用合适的埋粉和保护气氛可以防止AlN陶瓷在烧结过程中发生氧化,其中添加质量分数(下同)1%MWNT-3%Y2O3-2%CaF2作烧结助剂,于1 600℃保温4 h可以制备相对体积密度为97.2%,热导率为138.57 W/(m·K),同时具有较低相对相对介电常数的AlN陶瓷,即在低温无压条件下制备性能较高的AlN陶瓷.
氮化铝陶瓷、多壁碳纳米管、热导率、烧结助剂、低温烧结
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TQ174
山东省中青年科学家基金BS2009CL029
2011-03-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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