碳热还原法合成SiC供电参数的研究

摘要：

在碳热还原法合成SiC生产中,供电参数对SiC产品的产量、质量及能耗有重要影响.以SiC生产实测参数为基础,通过对SiC冶炼过程温度场的数值模拟,揭示了合成SiC的传热传质规律,建立了用数值模拟预测冶炼SiC供电参数的方法,准确预测了单热源炉合成SiC的供电时间为36h,表面负荷为11～13 W/cm2,模拟结果得到了生产实践验证.

关键词：碳化硅、碳热还原法、供电参数、数值模拟、温度场

所属期刊栏目：38

分类号：TQ0213(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金50174046陕西省教育厅专项08JK347

在线出版日期：2010-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1792-1796