Ni-56Si合金对SiC陶瓷的润湿和铺展
采用座滴法考察了不同温度和气氛下Ni-56Si合金对SiC陶瓷的润湿和铺展行为。分析了固化后的液滴/SiC衬底界面和液滴表面的微结构和相组成。结果表明:该润湿体系于1350℃下在真空、1个大气压的静态或流动的Ar+5%(体积分数)H2的混合气3种气氛中均可获得优良的润湿性。在真空条件下,其铺展最快达到平衡,1350℃时的润湿性明显优于1100℃和1200℃,且在1100℃时的铺展过程与1350℃和1200℃有显著不同,即存在2种不同的铺展机制,这与SiC表面的润湿壁垒(SiO2层)的消除动力学有关。界面微结构分析进一步证实该系统的非反应润湿特性。
碳化硅陶瓷、润湿、铺展、界面、镍硅合金
TG142(金属学与热处理)
2011-09-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1509-1513