期刊专题

AlN/碳掺杂氮化硼纳米管复相陶瓷的制备及性能

引用
将1%~10%(体积分数)碳掺杂氮化硼纳米管(carbon-doped boron nitride nanotubes,BCN-nt)引入到纳米AlN中,采用放电等离子烧结得到致密的AlN/BCN-nt复相陶瓷。结果表明:适当提高烧结温度能使AlN晶粒充分长大,提高AlN晶粒完整性并有效去除结构中的氧杂质,因而显著改善了引入BCN-nt对热导率的劣化。在Kα波段(26.5~40.0GHz),随BCN-nt含量的增加,材料的介电常数实部和虚部都呈现逐渐增大的趋势,损耗因子也逐渐增加。提高烧结温度对介电常数影响不大,而过高的温度使介电常数虚部明显下降。适当的BCN-nt含量和烧结温度能够在提供稳定的介电损耗同时兼顾较高的热导率。

氮化铝、放电等离子烧结、热导率、介电性能

TM25(电工材料)

2011-09-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1440-1444

暂无封面信息
查看本期封面目录

硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

2010,(8)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn