Ce~(3+)及B~(3+)共掺杂纳米SiO_2的光致发光性能

摘要：

采用溶胶-凝胶法并结合后续700～1000℃热处理制备Ce~(3+)、B~(3+)共掺纳米SiO_2材料.用x射线衍射(X-my diffraction,XRD)、透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、X射线光电子能谱、紫外-可见吸收光谱仪(ultraviolet-visible spcctrophotometry,UV-Vis)及荧光光谱仪表征材料的结构、形貌、成分、光吸收及光致发光性能.XRD及TEM分析结果表明:该纳米材料具有非晶态结构,一次颗粒尺寸为10nm左右.UV-Vis吸收光谱显示;共掺样品在紫外区有吸收峰,其主吸收峰位于225nm和260nm.荧光光谱分析显示,经过H_2气氛处理的样品中存在两套光致发光谱:一套为258 nm激发产生的363 nm紫外发光;另一套为317 nm激发产生的407nm的宽带发光.对比分析经过不同温度处理以及不同B~(3+)掺量样品的发光光谱,初步探讨两发光峰的起源.

关键词：纳米二氧化硅、铈硼共掺杂、光致发光、溶胶-凝胶法

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金新教师课题20070359030

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：440-445