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Mg_3(VO_4)_2-BiNbO_4复合陶瓷的低温烧结及微波介电性能

引用
采用传统固相反应法制备(1-χ)Mg_3(VO_4)_2-χBiNbO_4复合微波介质陶瓷材料,研究陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:当χ从0.2增加到0.6,在最佳烧结温度制备的Mg_3(VO_4)_2-BiNbO_4陶瓷的机械品质因数与频率的乘积(Q χ力随x增大而减小,相对介电常数(ε_r)随χ增大而增大,谐振频率温度系数(t_f)随χ增大从正变为负:通过调节χ值,在χ=0.2处获得近零的t_f.Mg_3(VO_4)_2,与BiNbO_4的复合可实现低温烧结;当χ=0.2、850℃的低温致密成瓷获得了优良的微波介电性能:ε_r=14.76,Q×f=27930GHz(f_0=8.29GHz),t_f=3.65×10~(-6)℃.

钒酸镁-铌酸铋、复合微波介质陶瓷、微波介电性能、低温烧结

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TQ174

湖北省自然科学基金-青年杰出人才2007ABB036

2010-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2010,38(3)

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