快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响

摘要：

对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1 100 ℃下进行常规一步退火.研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响.结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄.当RTP温度达到1 280 ℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150 ℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑.

关键词：硅单晶、电子辐照、氧沉淀、快速热处理、清洁区

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50872028;河北省自然科学基金E2008000079;河北省教育厅科学研究计划2009318

在线出版日期：2010-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：196-200