一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法

摘要：

介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法.该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1(1)00]方向边长的长度,计算出外延层厚度.与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确.

关键词：堆垛层错、外延层厚度、无损测量、碳化硅

所属期刊栏目：38

分类号：O766+1(晶体结构)

资助基金：国家自然科学基金重点项目60876061;西安应用材料创新基金XA-AM-200704;国防基金9140A08050508

在线出版日期：2010-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：183-186