双温区合成法制备ZnGeP2多晶材料

摘要：

合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难.采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料.用X射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管壁上的少量沉淀.结果表明:温度梯度区间生成的中间产物中ZnP2含量为95.45%(体积分数,下同),Zn3P2含量为4.55%.高温区末端石英管壁上的沉淀中ZnP2含量为40%,ZnGeP2含量为60%,Zn和P的挥发导致合成的ZnGeP2多晶体中富含Ge.通过调节高温区的温度和降温速率,可有效地控制组分挥发,得到化学计量比的ZnGeP2多晶材料.

关键词：磷化锗锌、双温区法、合成、化学计量比

所属期刊栏目：37

分类号：O799(晶体物理化学过程)

资助基金：国家自然科学基金50872023

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1947-1950