电沉积法制备Bi2S3薄膜及其生长机理

摘要：

采用阴极恒电压电沉积法在氧化锡铟透明导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜.用X射线衍射、X射线光电子能谱仪、原子力显微镜、场发射扫描显微镜对制各薄膜的结构和形貌进行了表征.通过对不同沉积时间下制备薄膜的表面形貌分析,初步探讨了电沉积法制各Bi2S3薄膜的生长机理.结果表明:所制备的薄膜由正交相Bi2S3组成,无杂质相:薄膜表面形貌呈现出沿c轴取向的竹笋状的三维结构;随着沉积时间延长,薄膜结晶性能先提高后下降;其生长模式是基于电场力对离子的作用而诱导产生的垂直于基板方向的层状生长.

关键词：硫化铋、薄膜、电沉积、生长机理

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分类号：TQ135.3

资助基金：教育部"新世纪优秀人才支持计划"NCET-06-0893;陕西省自然科学基金;陕两科技大学研究生创新基金

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1924-1927