期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.11.023

生长方法对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响

引用
以KH2PO4作为原材料,从含85%(摩尔分数)氘的氘化溶液中分别由传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了磷酸二氘钾[(K(DxH1-x)2PO4,DKDP]晶体.对加工后的样品进行了光散射和透过性能测试,研究了不同生长方法对DKDP晶体的生长习性和光学性能的影响.结果表明:对于纯度较高原料(杂质金属离子浓度≤10-6),"点籽晶"快速生长法能有效避免晶体生长过程中杂晶的出现,且生长速率为传统降温法的10倍,但所得晶体存在严重的光散射,透过性能明显下降,另外,快速生长所得晶体柱面区域较锥面区域光学性能明显下降.

磷酸二氘钾晶体、透过光谱、光散射、传统降温法、"点籽晶"快速生长法

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O734(晶体物理)

国家自然科学基金50721002:"NSAF"联合基金10676019;863计划专项资助项目

2010-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1914-1918

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

37

2009,37(11)

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